Package Information
Vishay Siliconix
PolarPAK t
(Option S)
M4
M4
Product datasheet/information page contain
links to applicable package drawing.
10
D
9
G
8
S
7
S
6
D
VIEW A
M3
M2
M1
M3
D
1
G
2
S
3
S
4
D
5
A
c
(Top View)
6
7
8
9
10
Q
Q
H1
D
b1
H4
S
b3
S
G
H3 b2
H2
D
b1
H1
Z
P1
D1
D
A1
P1
DETAIL Z
b4
b4
b5
D
5
b5
S
4
S
3
b5
G
2
D
1
VIEW A
(Bottom View)
Document Number: 73398
10-Jun-05
www.vishay.com
1
相关PDF资料
SIE802DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIE804DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK
SIE822DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK
SIE830DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIE836DF-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK
SIE848DF-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIHB30N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
SIHF15N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
相关代理商/技术参数
SIE802DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE802DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE804DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 37A 125W 38mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE806DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIE806DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE806DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE808DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIE808DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube